secondary impact electron

基本解释

• [电子、通信与自动控制技术]二次碰撞电子

英汉例句

双语例句

• Gate current for pMOSFETs is composed of direct tunneling current, channel hot hole, electron injection current, and highly energetic hot holes by secondary impact ionization.
  栅电流由四部分组成 ：直接隧穿电流、沟道热空穴、一次碰撞电离产生的电子注入、二次碰撞电离产生的空穴注入 。

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专业释义

电子、通信与自动控制技术

• 二次碰撞电子